Postes y Alumbrado Publico bl

Electrónica, Electricidad y Telecomunicaciones: EFECTO FOTOVOLTAICO (PV)

DESCRIPCIÓN ATÓMICA DEL SILICIO

Toda
la materia está hecha de átomos. Ellos, a su vez, están compuestos por tres
tipos de partículas: protones, neutrones y electrones. Los protones (cargados
positivamente) y los electrones (cargados negativamente) se atraen entre sí; los
neutrones no son atraídos eléctricamente por ninguno de los dos y se dice que
son neutros. Los protones con carga positiva y los neutrones neutros residen en
un núcleo, en el centro del átomo, empaquetados de forma cerrada. Los
electrones, mucho más livianos que los protones y neutrones, orbitan alrededor
del núcleo.

Aunque
un átomo contiene partículas cargadas, en general es eléctricamente neutro,
porque tiene el mismo número de protones y electrones.

Los
diferentes átomos tienen diferentes números de protones. Para cada protón en el
núcleo de un átomo, hay un electrón que orbita alrededor del núcleo. Las
posiciones orbitales (y el movimiento de los electrones alrededor de su propio
eje) están determinados por la energía de los electrones. Los electrones, en
particular los más alejados del núcleo, interactúan con electrones de otros
átomos y determinan la forma en que los átomos iguales o diferentes se combinan
en estructuras más grandes como los sólidos. El átomo de silicio tiene catorce
electrones dispuestos de tal manera que los cuatro exteriores pueden ser dados,
aceptados, o compartidos con otro átomo. Estos cuatro electrones externos se
llaman electrones de valencia.

Un
gran número de átomos de silicio, a través de sus electrones de valencia,
pueden unirse para formar un sólido. Como un sólido, cada átomo de silicio por
lo general comparte cada uno de sus cuatro electrones de valencia con otro
átomo de silicio. Cada unidad básica de silicio, formando una disposición
tetraédrica, contiene por lo tanto cinco átomos (el átomo de silicio más los
otros cuatro con los que comparte electrones). Cada átomo en el sólido de
silicio se mantiene en su lugar a una distancia y ángulo fijos con cada uno de
los átomos con los que comparte un enlace. Esta formación fija y regular de los
átomos de un sólido se denomina red cristalina, o simplemente cristal.

Los
sólidos pueden formarse a partir de varias redes cristalinas de forma
diferente. Para el cristal de silicio (Figura 1), los átomos se localizan de
manera que ocupan el centro y los vértices de un cubo con átomos individuales
centrados en cada uno de ellos. La disposición cúbica se repite a través del
cristal.

Fig.1 – Representación del cristal de silicio. Los 5 átomos de la unidad básica

cúbica, están señalados con números del 1 al 5. Cada uno de los dos
segmentos

que representan el enlace entre dos átomos, incluye un electrón compartido

por cada uno de los dos átomos.

Si la célula fotovoltaica está formada por un único cristal de silicio, se
dice que es monocristalina y si está formada por varios cristales, se dice
que es policristalina. (Fig.2)

Fig.2
– Célula de silcio policristalina

EL EFECTO DE LA LUZ SOBRE EL SILICIO

Cuando la luz incide sobre un cristal de silicio, puede ser reflejada, absorbida,
o puede pasar a través de él. Concentrémonos en la luz que se absorbe.
Normalmente, cuando la luz con una energía relativamente baja es absorbida por
un sólido, crea calor sin alterar las propiedades eléctricas del material. Es
decir, la luz de baja energía que incide sobre un cristal de silicio hace que
los átomos de silicio vibren y giren en sus posiciones en los enlaces, pero no
se sueltan. De manera similar, los electrones de los enlaces también ganan más
energía y se dice que alcanzan un nivel de energía más alto. Dado que estos
niveles de energía no son estables, los electrones pronto regresan a sus
niveles de energía inferiores originales, emitiendo como calor la energía que
habían ganado. La luz de una mayor energía puede alterar las propiedades
eléctricas del cristal. Si tal luz incide sobre un electrón de un enlace, el
electrón es arrancado de su lugar en el cristal. Esto deja atrás un enlace de
silicio al que le falta un electrón y libera un electrón para moverse en el
cristal. Un enlace al que le falta un electrón, se dice que tiene un hueco.
Se dice que un electrón libre para moverse dentro del cristal está en la banda
de conducción
del cristal (Figura 3), porque los electrones libres son
los medios por los cuales fluye la electricidad. Tanto los electrones de la banda
de conducción, como los huecos, juegan un papel importante en el comportamiento
eléctrico de las células fotovoltaicas. Electrones y huecos liberados de sus
posiciones en el cristal de esta manera, se dice que son pares electrón-hueco generados
por luz. Un hueco en un cristal de silicio puede, como un electrón libre,
moverse dentro del cristal. El medio por el cual se mueve el hueco es como
sigue: Un electrón de un enlace cerca de un hueco puede saltar fácilmente al
hueco, dejando atrás un enlace incompleto, es decir, un hueco nuevo. Entonces
se puede decir que el viejo hueco, ahora neutralizado por el electrón, “se ha
movido” hacia el nuevo hueco producido por la ida del electrón del enlace. Esto
ocurre con rapidez y con frecuencia, los electrones de los enlaces cercanos negocian
posiciones con huecos, enviando huecos de forma aleatoria y errática a través
del sólido. Cuanto
más alta es la temperatura del material, más agitados serán los electrones y
los huecos y más se mueven. La generación de electrones y huecos por la luz es
central en el efecto PV total, pero esto no produce por si mismo una corriente
eléctrica. Si no hubiera ningún otro mecanismo involucrado en una célula solar,
los electrones generados por la luz y los huecos se moverían en el cristal de
forma errática durante un tiempo y luego perderían su energía térmicamente volviendo
a las posiciones de valencia. Para aprovechar los electrones y los huecos para
producir una fuerza electromotriz  y una
corriente, se necesita otro mecanismo: una barrera de “potencial”
incorporada.

* La barrera se denomina de “potencial” porque es un fenómeno
eléctrico, que tiene que ver con la cantidad de energía que una partícula
(electrón o hueco) podría “potencialmente” ganar si esa partícula encuentra
la barrera y se acelera.

Fig.3 – Representación esquemática de un cristal de silicio y

el efecto de la luz sobre él, liberando un electrón de un enlace

La función de la
barrera

Una célula fotovoltaica contiene una barrera que está configurada por
cargas eléctricas opuestas enfrentadas entre sí a ambos lados de una línea
divisoria. Esta barrera de potencial separa selectivamente los electrones y los
huecos generados por la luz, enviando más electrones a un lado de la célula, y
más huecos a la otra. Así separados, los electrones y los huecos, es menos
probable que se junten y pierdan su energía eléctrica. Esta separación de carga
establece una diferencia de potencial entre los extremos de la célula, que se
puede utilizar para impulsar una corriente eléctrica en un circuito externo.

Hay varias maneras de formar una barrera de potencial en una célula solar.
Una es alterar ligeramente el cristal, de modo que su estructura a cada lado de
la línea divisoria sea diferente.

 El
dopante donante – portador negativo

Como se ha indicado anteriormente, el silicio tiene cuatro electrones de
valencia, todos los cuales son normalmente parte de enlaces en un cristal de
silicio. Supongamos que por algún medio introducimos una impureza en un cristal
de silicio puro, sustituyendo un átomo de silicio por un átomo como el fósforo,
que tiene cinco electrones de valencia. El átomo de impureza ocuparía la misma
posición en el cristal que un átomo de silicio normal, suministrando un
electrón para cada uno de los cuatro enlaces de silicio. Pero debido a que el
átomo de fósforo tiene un electrón de valencia extra, habría un electrón sin
ningún enlace que compartir (Figura 4).

Fig.4 – Cuando un átomo de impureza, tal como el fósforo con 5 electrones
de

valencia, sustituye a un átomo dentro de un cristal de silicio, este tiene
un electrón
extra que
no forma parte de ningún enlace
 Comparado con un electrón de enlace, el electrón extra del átomo de
impureza es relativamente libre. De hecho, a temperatura ambiente hay suficiente
energía térmica en el cristal para sacudir este electrón suelto, a pesar de que
dejaría detrás a un átomo de impureza cargado positivamente. * Este electrón libre
de la impureza no tiene hueco en el cual puede caer fácilmente, y se comporta
como si fuera un miembro permanente de la banda de conducción del cristal,
siempre dispuesto a ser parte de una corriente eléctrica. Un cristal de silicio con numerosos átomos de fósforo
sustituidos tendría muchos electrones libres de la banda de conducción y un
número similar de iones de impureza positivos bloqueados en la estructura del
cristal (ya que a los átomos de fósforo les estará faltando el electrón libre).
Pero en conjunto, el cristal entero permanecería neutro, puesto que hay apenas
tantos iones positivos como electrones libres; pero las propiedades eléctricas
del cristal se habrían alterado drásticamente. Las impurezas introducidas de
esta manera se llaman dopantes y los dopantes que tienen un electrón de
valencia extra (como el fósforo introducido en un cristal de silicio) se llaman
donantes
porque donan un electrón al cristal. Dicho cristal dopado con donantes se
conoce como tipo-N porque tiene cargas negativas libres. Alterar el silicio
mediante la introducción de un dopante donante es parte del proceso utilizado
para producir la barrera potencial interna. Pero el silicio de tipo-N no puede por
sí mismo formar la barrera. Otro silicio ligeramente alterado es también
necesario, este tipo con propiedades eléctricas opuestas a las del silicio de
tipo-N.  

El dopante
aceptor
–  portador positivo  

Un material adecuadamente alterado se puede formar
sustituyendo átomos del interior del cristal de silicio por átomos de impurezas
con un electrón de valencia menos que el silicio. Un átomo de impureza con tres
electrones de valencia (como el boro) se ubicaría en la posición del átomo de
silicio original, pero uno de sus enlaces con el silicio estaría perdiendo un
electrón, es decir, habría un hueco (Figura 5).

Fig.5 – Una mpureza con tres electrones de valencia (tal como el boro)

en un cristal de silicio es normalmente enlazado, pero a uno de sus

enlaces le falta un electrón, es un hueco.

Como vimos antes, los huecos pueden moverse casi tan
libremente como los electrones de la banda de conducción. De esta manera, un
cristal de silicio dopado con muchos de tales átomos de boro tiene muchos
huecos que actúan como si fueran cargas positivas libres que se mueven por toda
la red cristalina. Una impureza de tres electrones de valencia en un cristal de
silicio se llama aceptor porque sus huecos aceptan electrones (electrones de
valencia normalmente enlazados o electrones de banda de conducción) del resto
del cristal de silicio. Un material de silicio dopado por aceptor se denomina tipo-P
debido a la presencia de cargas positivas libres (los huecos móviles). En un
material de tipo-P, las cargas positivas son llamadas portadores mayorítarios
(de carga) porque superan en mucho a los electrones libres, que en los
materiales de tipo-P se denominan portadores minoritarios. En un
material de tipo-N, donde el dopaje se invierte, los electrones (cargas
negativas) son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios
.

Una línea que divide el silicio tipo-N del silicio tipo-P establece la
posición de una barrera de potencial esencial para el funcionamiento de una
célula solar. Para ver cómo se forma esta barrera, echemos un vistazo a la
juntura entre los dos materiales (el área en la proximidad inmediata de las dos
superficies). En el material  tipo-P, hay
exceso de huecos y en el material  tipo-N,
un exceso de electrones (Fig.6a).

Cuando los materiales tipo-N y tipo-P estén en contacto, los electrones libres
en el material tipo-N, cercanos a los muchos huecos en el material tipo -P en
la juntura, saltarán hacia adentro del material 
tipo-P, llenando los huecos. Además, los electrones de valencia de los
enlaces en el lado tipo-N pueden también saltar a huecos en el lado de tipo-P
adyacente, lo cual es equivalente a un hueco que se mueve hacia el material
tipo-N (por simplicidad, esto no se muestra en la Figura 6).

 Este proceso de transferencia de carga ocurre rápidamente a lo largo de la juntura,
enviando enormes cantidades de electrones al lado tipo-P y  huecos al lado tipo-N (Figura 6b).

Esto provoca un desequilibrio inmediato de la carga: más cargas negativas
(electrones extra) a lo largo del lado tipo-P de la juntura, más cargas
positivas (iones) a lo largo del lado tipo-N (Figura 6c). Cuando los electrones
se mueven hacia el material tipo-P durante la formación de la juntura,
encuentran huecos en los enlaces de silicio y caen en ellos. De manera similar,
los huecos que se transfieren al lado tipo-N se llenan rápidamente por los
numerosos electrones adicionales del lado tipo -N. En consecuencia, los
portadores que forman la juntura pierden su libertad de movimiento. Por lo
tanto, aunque existe un desequilibrio de carga en la juntura, hay muy pocos
electrones libres en el lado de silicio tipo-P que se devuelven al lado  tipo-N, y muy pocos huecos libres en el lado
de tipo n para ser transferidos de nuevo al material de tipo p. Por lo tanto,
el desequilibrio de carga permanece fijo en su lugar.

El proceso de cargas que se mueven a través de la juntura para crear un
desequilibrio de carga de la manera descrita anteriormente no continúa indefinidamente.
Los portadores cargados que ya han cruzado la juntura establecen un campo
eléctrico, que actúa como una barrera que se opone al flujo adicional de los
portadores libres. A medida que más portadores cruzan la unión, la barrera se
agranda, haciéndo cada vez más difícil que otros portadores puedan cruzar.
Eventualmente, se establece un equilibrio donde (estadísticamente hablando) no
más electrones o huecos cambiarán de lado. Esto crea una barrera de potencial
fija en la juntura (la barrera a la que nos hemos referido desde el principio),
con el lado tipo – N adyacente a la juntura cargado positivamente y el lado
tipo-P adyacente a la juntura, cargado negativamente. Esto también se puede
visualizar, pensando que los electrones acumulados en el lado-P repelerán a
nuevos electrones que intenten cruzar al lado-P y que los huecos acumulados del
lado-N repelerán a los huecos que intenten cruzar al lado-N. Debe notarse que
la “altura” de la barrera (es decir, la fuerza de repulsión del campo
eléctrico) depende de la cantidad de dopante en el silicio. Cuanto más dopante,
más desequilibrio de carga induce y mayor es la capacidad de la barrera para
separar cargas. Resumiendo, la
barrera se opone al cruce de los portadores de carga mayoritarios. Es decir,
los electrones en el material  tipo-N
tendrían que subir la barrera contra el campo  para introducirse en el material tipo – P. De
forma similar, los huecos en la región tipo-P se mantienen impedidos de entrar
en la región  tipo-N. Obsérvese también
que los portadores minoritarios no se ven obstaculizados por la barrera. De
hecho, los electrones libres en el lado tipo-P, de los cuales hay muy pocos,
siendo el portador minoritario allí, son accionados por el campo de la juntura
al lado opuesto  tipo-N. Lo mismo ocurre
con los huecos accionados desde el lado tipo-N. Pero normalmente (sin
iluminación) hay tan pocos portadores minoritarios en sus respectivos lados,
que su movimiento es nulo; y los que hay, son neutralizados por los pocos
portadores mayoritarios que aleatoriamente asumen suficiente energía para
cruzar la barrera. Esta barrera selectiva en la juntura es el medio de separar
las cargas durante la generación de huecos de electrones bajo iluminación. Es
la clave para la producción de una corriente eléctrica fotovoltaica
.

La Barrera de potencial en acción

A fines ilustrativos, supongamos que la luz que incide
sobre la célula fotovoltaica tiene suficiente energía como para liberar un
electrón de enlace en el cristal de silicio. Esto crea un par electrón-hueco,
un electrón libre y un hueco libre. Supongamos además que el par electrón-hueco
se genera del lado del silicio tipo-P de la juntura. Un electrón de un par
electrón-hueco tiene sólo un tiempo relativamente corto durante el cual es
libre, porque es muy probable que se combine con uno de los numerosos huecos en
el lado tipo-P. Pero las células solares están diseñadas para que, con toda probabilidad,
el electrón deambulando alrededor del cristal 
encuentre la juntura antes de que tenga la oportunidad de combinarse con
un hueco. (Si se combinara con un hueco, perdería su
energía como calor y sería inútil en lo que respecta a la corriente eléctrica
fotovoltaica). Una vez que el electrón libre esté dentro del campo de la
juntura (que se limita a la vecindad inmediata de la juntura), el electrón es
acelerado a través de la barrera (por el desequilibrio de carga de la barrera)
en el silicio tipo-N. Puesto que hay muy pocos huecos en el lado tipo-N de la
juntura, el electrón ya no está en gran peligro de recombinación. Además, hay
muy pocas posibilidades de que regrese al lado del tipo-p porque tendría que
resistir la repulsión del campo de la juntura (subir la barrera), gastando
energía que usualmente no tiene. El hueco socio de este par electrón-hueco, sin
embargo, permanece en el lado tipo-P de la juntura porque es repelido por la
barrera en la juntura. No está en peligro de recombinación porque ya hay un predominio
de huecos en el lado tipo-P.

Una situación similar ocurre cuando los pares
electrón-hueco son generados por la luz en el lado tipo-N de la juntura. Esta
vez los electrones liberados permanecen en el lado tipo-N, siendo repelidos por
la barrera. Mientras tanto, la mayoría de los huecos encuentran la juntura
antes de tener chance de recombinarse. Cruzan la juntura hacia el lado tipo-P
mientra que los electrones normalmente enlazados en el lado tipo-P saltaban la juntura
y llenan los huecos del lado tipo-N. Una vez en el lado tipo-P, los huecos se
mueven sin obstáculos, y hay muy pocos electrones libres disponibles para
llenarlos. Debido a que la iluminación y la separación de carga causan la
presencia de cargas negativas excesivas no combinadas en el lado tipo-N y
huecos en exceso en el lado tipo-P, existe un desequilibrio de carga en la
célula.

Si conectamos el lado tipo-N al lado tipo-P de la celula por medio de un
circuito eléctrico externo, la corriente fluye a través del circuito (que
responde como si fuera alimentado por una batería) porque esto reduce el
desequilibrio de carga inducido por la luz en él. Las cargas negativas fluyen
fuera del electrodo en el lado tipo-N, a través de una carga (tal como una
lámpara incandescente), y realizan un trabajo útil en esa carga (tal como
calentar el filamento de la lámpara incandescente para que ilumine).  Los electrones entonces fluyen hacia el lado  tipo-P, donde se recombinan con huecos cerca
del electrodo (Figura 7). La energía de la luz incidente, originalmente
absorbida por los electrones, es usada por los electrones para alimentar el
circuito externo. Entonces  se mantiene
un equilibrio: La luz crea continuamente más pares electrón-hueco y, por lo
tanto, más desequilibrio de carga, el desequilibrio de carga es aliviado por la
corriente, que cede la energía para la realización de trabajo.

La cantidad de luz incidente en la célula crea una cantidad casi
proporcional de corriente. La cantidad de
energía que se necesita para elevar un electrón a la banda de conducción es la
cantidad de energía que la luz suministra originalmente al electrón y es, por
tanto, el máximo que puede recuperarse del electrón en el circuito externo.
Hemos observado todas las condiciones necesarias para que la corriente fluya:
luz incidente para liberar los portadores de carga, una barrera para acelerar
los portadores a través de la juntura y mantenerlos en extremos opuestos de la
célula, y un desequilibrio de carga para impulsar una corriente (portadores
cargados) a través de un circuito.

Fig.7 – La corriente eléctrica generada por la luz
en la célula fotovoltaica
 Resumen: las células fotovoltaicas se basan en unir un material tipo-N, con el mismo material tipo-P. Al hacerlo se produce una barrera de potencial en la juntura, que hace que los pares electrón –hueco producidos por la luz, se separen en el cristal, sin posibilidades de recombinarse porque la barrera se lo impide. Cuando incide la luz, produce pares electrón- hueco que va generando electrones libres que pasan al lado-N y huecos que pasan al lado-P, quedando en ambos casos como portadores libres en su lado respectivo sin poder pasar al otro lado y neutralizarse. Al unir ambos lados por medio de un circuito externo con una carga, los electrones libres encuentran un camino libre de barreras que les permite circular por el circuito, atraídos por los huecos del lado-P y recién ahí pueden recombinarse. De este modo entregan energía a la carga del circuito externo. Todos los electrones que circulan por la carga son los liberados por la energía de la luz incidente.

Source:egresadoselectronicaunc.blogspot.com